Material – Cerámica

♦Alúmina(Al2O3)

Las piezas cerámicas de precisión producidas por ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) pueden fabricarse con materias primas cerámicas de alta pureza, 92 ~ 97 % de alúmina, 99,5 % de alúmina, >99,9 % de alúmina y prensado isostático en frío CIP.Sinterización a alta temperatura y mecanizado de precisión, precisión dimensional de ± 0,001 mm, suavidad de hasta Ra0,1, temperatura de uso de hasta 1600 grados.Se pueden fabricar diferentes colores de cerámica según los requisitos del cliente, como: negro, blanco, beige, rojo oscuro, etc. Las piezas cerámicas de precisión producidas por nuestra empresa son resistentes a altas temperaturas, corrosión, desgaste y aislamiento, y pueden ser Se utiliza durante mucho tiempo en ambientes de alta temperatura, vacío y gases corrosivos.

Ampliamente utilizado en una variedad de equipos de producción de semiconductores: marcos (soporte cerámico), sustrato (base), brazo/puente (manipulador), componentes mecánicos y cojinetes neumáticos cerámicos.

AL2O3

nombre del producto Tubo/tubo/varilla cuadrados de cerámica de alúmina 99 de alta pureza
Índice Unidad 85 % Al2O3 95 % Al2O3 99 % Al2O3 99,5 % Al2O3
Densidad g/cm3 3.3 3.65 3.8 3.9
Absorción de agua % <0,1 <0,1 0 0
Temperatura sinterizada 1620 1650 1800 1800
Dureza mohs 7 9 9 9
Resistencia a la flexión (20 ℃)) MPa 200 300 340 360
Fuerza compresiva kgf/cm2 10000 25000 30000 30000
Temperatura de trabajo prolongada 1350 1400 1600 1650
Máx.Temperatura de trabajo 1450 1600 1800 1800
Resistividad de volumen 20℃ Ω.cm3 >1013 >1013 >1013 >1013
100℃ 1012-1013 1012-1013 1012-1013 1012-1013
300 ℃ >109 >1010 >1012 >1012

Aplicación de cerámicas de alúmina de alta pureza:
1. Aplicado a equipos semiconductores: plato de vacío de cerámica, disco de corte, disco de limpieza, plato de cerámica.
2. Piezas de transferencia de obleas: mandriles para manipulación de obleas, discos de corte de obleas, discos de limpieza de obleas, ventosas de inspección óptica de obleas.
3. Industria de pantallas planas LED / LCD: boquilla de cerámica, disco abrasivo de cerámica, PIN DE ELEVACIÓN, riel PIN.
4. Comunicación óptica, industria solar: tubos cerámicos, varillas cerámicas, raspadores cerámicos para serigrafía de placas de circuito.
5. Piezas resistentes al calor y aislantes eléctricos: rodamientos cerámicos.
En la actualidad, las cerámicas de óxido de aluminio se pueden dividir en cerámicas comunes y de alta pureza.La serie de cerámicas de óxido de aluminio de alta pureza se refiere al material cerámico que contiene más del 99,9 % de Al₂O₃.Debido a su temperatura de sinterización de hasta 1650 - 1990°C y su longitud de onda de transmisión de 1 ~ 6μm, generalmente se procesa en vidrio fundido en lugar de crisol de platino: que puede usarse como tubo de sodio debido a su transmitancia de luz y resistencia a la corrosión. metal alcalino.En la industria electrónica, se puede utilizar como material aislante de alta frecuencia para sustratos de circuitos integrados.Según los diferentes contenidos de óxido de aluminio, la serie cerámica de óxido de aluminio común se puede dividir en 99 cerámicas, 95 cerámicas, 90 cerámicas y 85 cerámicas.A veces, las cerámicas con 80% o 75% de óxido de aluminio también se clasifican como series cerámicas de óxido de aluminio comunes.Entre ellos, el material cerámico de óxido de aluminio 99 se utiliza para producir crisoles de alta temperatura, tubos de hornos ignífugos y materiales especiales resistentes al desgaste, como cojinetes cerámicos, sellos cerámicos y placas de válvulas.La cerámica de aluminio 95 se utiliza principalmente como pieza resistente a la corrosión y al desgaste.85 cerámicas a menudo se mezclan en algunas propiedades, mejorando así el rendimiento eléctrico y la resistencia mecánica.Puede utilizar molibdeno, niobio, tantalio y otros sellos metálicos, y algunos se utilizan como dispositivos eléctricos de vacío.

 

Artículo de calidad (valor representativo) nombre del producto AES-12 AES-11 AES-11C AES-11F AES-22S AES-23 AL-31-03
Composición química Producto bajo en sodio de fácil sinterización H₂O % 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Jajaja % 0.1 0,2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Fe₂0₃ % 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01
SiO₂ % 0,03 0,03 0,03 0,03 0,02 0,04 0,04
Na₂O % 0,04 0,04 0,04 0,04 0,02 0,04 0,03
MgO* % - 0,11 0,05 0,05 - - -
Al₂0₃ % 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9
Diámetro de partícula medio (MT-3300, método de análisis láser) µm 0,44 0,43 0,39 0,47 1.1 2.2 3
Tamaño del cristal α µm 0.3 0.3 0.3 0.3 0,3 ~ 1,0 0,3 ~ 4 0,3 ~ 4
Densidad de formación** gramos/cm³ 2.22 2.22 2.2 2.17 2.35 2.57 2.56
Densidad de sinterización** gramos/cm³ 3,88 3.93 3.94 3.93 3,88 3.77 3.22
Tasa de contracción de la línea de sinterización** % 17 17 18 18 15 12 7

* El MgO no se incluye en el cálculo de la pureza del Al₂O₃.
* Sin polvo incrustante 29,4 MPa (300 kg/cm²), la temperatura de sinterización es 1600 °C.
AES-11 / 11C / 11F: Agregue 0,05 ~ 0,1% de MgO, la sinterabilidad es excelente, por lo que es aplicable a cerámicas de óxido de aluminio con una pureza de más del 99%.
AES-22S: Caracterizado por una alta densidad de conformado y una baja tasa de contracción de la línea de sinterización, es aplicable a la fundición de moldes deslizantes y otros productos a gran escala con la precisión dimensional requerida.
AES-23/AES-31-03: Tiene mayor densidad de conformación, tixotropía y menor viscosidad que AES-22S.el primero se utiliza para cerámica mientras que el segundo se utiliza como reductor de agua para materiales ignífugos, ganando popularidad.

♦Características del carburo de silicio (SiC)

Características generales Pureza de los componentes principales (% en peso) 97
Color Negro
Densidad (g/cm³) 3.1
Absorción de agua (%) 0
Características mecánicas Resistencia a la flexión (MPa) 400
Módulo de juventud (GPa) 400
Dureza Vickers (GPa) 20
Características térmicas Temperatura máxima de funcionamiento (°C) 1600
Coeficiente de expansión térmica TA~500°C 3.9
(1/°C x 10-6) TA~800°C 4.3
Conductividad térmica (W/m x K) 130 110
Resistencia al choque térmico ΔT (°C) 300
Características electricas Resistividad de volumen 25ºC 3x106
300°C -
500°C -
800°C -
Constante dieléctrica 10GHz -
Pérdida dieléctrica (x 10-4) -
Factor Q (x 104) -
Tensión de ruptura dieléctrica (KV/mm) -

20200507170353_55726

♦Cerámica de nitruro de silicio

Material Unidad Si₃N₄
Método de sinterización - Sinterizado a presión de gas
Densidad gramos/cm³ 3.22
Color - Gris oscuro
Tasa de absorción de agua % 0
Módulo joven gpa 290
Dureza Vickers gpa 18 - 20
Fuerza compresiva MPa 2200
Resistencia a la flexión MPa 650
Conductividad térmica W/mK 25
Resistencia al choque térmico Δ (°C) 450 - 650
Temperatura máxima de funcionamiento °C 1200
Resistividad de volumen Ω·cm > 10 ^ 14
Constante dieléctrica - 8.2
Resistencia dieléctrica kV/mm 16