Material – Cerámica

♦Alúmina (Al2O3)

Las piezas cerámicas de precisión producidas por ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) se fabrican con materias primas cerámicas de alta pureza (92-97 %, 99,5 % y >99,9 % de alúmina) y se prensan mediante prensado isostático en frío CIP. Se sinterizan a alta temperatura y se mecanizan con precisión, con una precisión dimensional de ±0,001 mm, una lisura de hasta Ra0,1 y una temperatura de uso de hasta 1600 grados. Proporcionamos diferentes colores de cerámica según las necesidades del cliente, como negro, blanco, beige, rojo oscuro, etc. Las piezas cerámicas de precisión que fabricamos son resistentes a altas temperaturas, corrosión, desgaste y aislamiento, y pueden utilizarse durante mucho tiempo en entornos de alta temperatura, vacío y gases corrosivos.

Ampliamente utilizado en una variedad de equipos de producción de semiconductores: marcos (soporte de cerámica), sustrato (base), brazo/puente (manipulador), componentes mecánicos y cojinetes de aire de cerámica.

AL2O3

Nombre del producto Tubo/varilla cuadrada de cerámica de alúmina de alta pureza 99
Índice Unidad 85 % Al2O3 95 % Al2O3 99 % Al2O3 99,5 % Al2O3
Densidad g/cm3 3.3 3.65 3.8 3.9
Absorción de agua % <0,1 <0,1 0 0
Temperatura de sinterización °C 1620 1650 1800 1800
Dureza Mohs 7 9 9 9
Resistencia a la flexión (20 °C) Mpa 200 300 340 360
Resistencia a la compresión kgf/cm2 10000 25000 30000 30000
Temperatura de trabajo a largo plazo °C 1350 1400 1600 1650
Temperatura máxima de trabajo °C 1450 1600 1800 1800
Resistividad de volumen 20℃ Ω. cm3 >1013 >1013 >1013 >1013
100℃ 1012-1013 1012-1013 1012-1013 1012-1013
300℃ >109 >1010 >1012 >1012

Aplicación de cerámica de alúmina de alta pureza:
1. Aplicado a equipos semiconductores: mandril de vacío de cerámica, disco de corte, disco de limpieza, mandril de cerámica.
2. Piezas de transferencia de obleas: mandriles de manipulación de obleas, discos de corte de obleas, discos de limpieza de obleas, ventosas de inspección óptica de obleas.
3. Industria de pantallas planas LED/LCD: boquilla de cerámica, disco de pulido de cerámica, PASADOR DE ELEVACIÓN, riel de PASADOR.
4. Comunicación óptica, industria solar: tubos cerámicos, varillas cerámicas, raspadores cerámicos para serigrafía de placas de circuitos.
5. Piezas resistentes al calor y aislantes eléctricamente: cojinetes cerámicos.
En la actualidad, la cerámica de óxido de aluminio se puede dividir en cerámica de alta pureza y cerámica común. La serie de cerámica de óxido de aluminio de alta pureza se refiere al material cerámico que contiene más del 99,9 % de Al₂O₃. Debido a su temperatura de sinterización de hasta 1650-1990 °C y su longitud de onda de transmisión de 1 ~ 6 μm, generalmente se procesa en vidrio fundido en lugar de crisol de platino: que puede usarse como tubo de sodio debido a su transmitancia de luz y resistencia a la corrosión de metales alcalinos. En la industria electrónica, puede usarse como material aislante de alta frecuencia para sustratos de circuitos integrados (CI). Según los diferentes contenidos de óxido de aluminio, la serie de cerámica de óxido de aluminio común se puede dividir en cerámica 99, cerámica 95, cerámica 90 y cerámica 85. A veces, la cerámica con 80 % o 75 % de óxido de aluminio también se clasifica como serie de cerámica de óxido de aluminio común. Entre ellos, el material cerámico de óxido de aluminio 99 se utiliza para producir crisoles de alta temperatura, tubos de hornos ignífugos y materiales especiales resistentes al desgaste, como cojinetes, sellos y placas de válvulas. El material cerámico de aluminio 95 se utiliza principalmente como componente resistente a la corrosión y al desgaste. El material cerámico 85 se mezcla con frecuencia para mejorar ciertas propiedades, lo que mejora el rendimiento eléctrico y la resistencia mecánica. Puede utilizar sellos de molibdeno, niobio, tántalo y otros metales, y algunos se utilizan como dispositivos de vacío eléctricos.

 

Artículo de calidad (valor representativo) Nombre del producto AES-12 AES-11 AES-11C AES-11F AES-22S AES-23 AL-31-03
Composición química Producto de fácil sinterización con bajo contenido de sodio H₂O % 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Jajaja % 0.1 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Fe₂0₃ % 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01
SiO₂ % 0.03 0.03 0.03 0.03 0.02 0.04 0.04
Na₂O % 0.04 0.04 0.04 0.04 0.02 0.04 0.03
MgO* % - 0.11 0.05 0.05 - - -
Al₂0₃ % 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9
Diámetro de partícula medio (MT-3300, método de análisis láser) micras 0.44 0.43 0.39 0.47 1.1 2.2 3
Tamaño del cristal α micras 0.3 0.3 0.3 0.3 0,3 ~ 1,0 0,3 ~ 4 0,3 ~ 4
Densidad de formación** g/cm³ 2.22 2.22 2.2 2.17 2.35 2.57 2.56
Densidad de sinterización** g/cm³ 3.88 3.93 3.94 3.93 3.88 3.77 3.22
Tasa de contracción de la línea de sinterización** % 17 17 18 18 15 12 7

* El MgO no está incluido en el cálculo de la pureza de Al₂O₃.
* Polvo sin incrustaciones 29,4 MPa (300 kg/cm²), temperatura de sinterización 1600°C.
AES-11 / 11C / 11F: Agregue 0,05 ~ 0,1 % de MgO, la sinterabilidad es excelente, por lo que es aplicable a cerámicas de óxido de aluminio con una pureza de más del 99 %.
AES-22S: Caracterizado por una alta densidad de formación y una baja tasa de contracción de la línea de sinterización, es aplicable a la fundición de encofrados deslizantes y otros productos a gran escala con la precisión dimensional requerida.
AES-23 / AES-31-03: Tiene una mayor densidad de formación, tixotropía y una viscosidad menor que el AES-22S. El primero se utiliza en cerámica mientras que el segundo se utiliza como reductor de agua para materiales ignífugos, ganando popularidad.

♦Características del carburo de silicio (SiC)

Características generales Pureza de los componentes principales (% en peso) 97
Color Negro
Densidad (g/cm³) 3.1
Absorción de agua (%) 0
Características mecánicas Resistencia a la flexión (MPa) 400
Módulo de Young (GPa) 400
Dureza Vickers (GPa) 20
Características térmicas Temperatura máxima de funcionamiento (°C) 1600
Coeficiente de expansión térmica Temperatura ambiente ~500 °C 3.9
(1/°C x 10-6) Temperatura ambiente ~800 °C 4.3
Conductividad térmica (W/m x K) 130 110
Resistencia al choque térmico ΔT (°C) 300
Características eléctricas Resistividad volumétrica 25°C 3 x 106
300°C -
500°C -
800°C -
constante dieléctrica 10 GHz -
Pérdida dieléctrica (x 10-4) -
Factor Q (x 104) -
Tensión de ruptura dieléctrica (KV/mm) -

20200507170353_55726

♦Cerámica de nitruro de silicio

Material Unidad Si₃N₄
Método de sinterización - Sinterizado a presión de gas
Densidad g/cm³ 3.22
Color - Gris oscuro
Tasa de absorción de agua % 0
Módulo de Young Promedio general 290
Dureza Vickers Promedio general 18 - 20
Resistencia a la compresión Mpa 2200
Resistencia a la flexión Mpa 650
Conductividad térmica W/mK 25
Resistencia al choque térmico Δ (°C) 450 - 650
Temperatura máxima de funcionamiento °C 1200
Resistividad de volumen Ω·cm > 10 ^ 14
Constante dieléctrica - 8.2
Rigidez dieléctrica kV/mm 16